工业DR
晶棒/晶片定向仪
RSO30-01
高精测晶向
双工多维度
精准无干扰
适配易运维
RSO30-01高精度晶向检测仪，是半导体工艺质量管控领域的专业检测设备，专为晶棒、晶片的高精度晶向角度测量量身打造。 设备采用双工位灵活配置方案，可轻松满足端面、柱面等多场景、多维度的检测需求；搭载高灵敏度闪烁探测器，信号捕捉精度更高，无杂峰干扰，保障检测结果纯净准确；支持单衍射、双衍射两种模式可切换选择，最高检测精度可达±0.004°，从根源保障测量数据稳定可靠；可适配2寸、4寸、6寸多规格样品检测，设备所用X光管具备使用寿命长、辐射剂量低的优势，日常维护简单便捷，是半导体生产环节确认加工质量、把控工艺稳定性的理想选择。
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- 产品介绍
- 技术参数
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- 商品名称: 晶棒/晶片定向仪
- 商品编号: RSO30-01
- 设备类型: 定向仪
- 标签蓝: 高精测晶向
- 标签绿: 双工多维度
- 标签橙: 精准无干扰
- 标签红: 适配易运维
- 检测类型: 晶棒角度测量,晶片角度测量
- 检测方式: 双工位卧式检测
- 设备类型: 中型设备
- 特点: 标准设备 | 晶向精准定位 | 离线检测
RSO30-01高精度晶向检测仪，是半导体工艺质量管控领域的专业检测设备，专为晶棒、晶片的高精度晶向角度测量量身打造。 设备采用双工位灵活配置方案，可轻松满足端面、柱面等多场景、多维度的检测需求；搭载高灵敏度闪烁探测器，信号捕捉精度更高，无杂峰干扰，保障检测结果纯净准确；支持单衍射、双衍射两种模式可切换选择，最高检测精度可达±0.004°，从根源保障测量数据稳定可靠；可适配2寸、4寸、6寸多规格样品检测，设备所用X光管具备使用寿命长、辐射剂量低的优势，日常维护简单便捷，是半导体生产环节确认加工质量、把控工艺稳定性的理想选择。
产品核心特点及优势
多轴联动机械系统，全自由度无死角覆盖
系统搭载多自由度运动机械平台，射线源可沿多方向移动及空间角度偏转，探测器具备独立运动能力，配合工件自动旋转与平移，各运动轴可编程协同控制。无论是小口径焊管、大直径厚壁容器，还是异形非标工件，均可实现全周向、多角度、无死角成像检测。机械运动精准、响应迅捷，彻底解决复杂工件检测姿态调整难题，无需人工反复干预，检测效率与一致性显著提升。AWR全自动检测流程，与产线无缝对接
集成AWR自动送管、自动焊口定位、自动夹持与转管全序列功能，支持与MES/MOM系统数据互通，自动获取工件信息，焊缝自动导引至检测位，检测完成后自动流出。全程无需人工干预，工件连续自动流入流出，大幅降低操作强度，完美适配批量工件在线节拍化检测。全流程数据自动追溯，满足“一工件一档案”精细化管理要求，无缝融入现有智能化产线。智能采集与全流程追溯，数据管理无忧
支持自动扫码从MOM系统获取工件信息，自动匹配并设定探伤采集参数，自动完成图像命名与信息叠加（含工件编码、人员标识、检测参数），采集完成后自动上传质量管理系统。工件编码自动对齐，文件自动归类存档，从机制上杜绝人工录入与混淆错误。检测数据全流程可追溯，为特种设备行业严苛的档案管理、质量回溯及责任认定提供完整可靠的证据链支撑。缺陷自动打标+精准测量，返修定位高效精准
系统支持依据识别结果在工件上自动标记缺陷位置；同时集成尺寸测量、灰度测量、信噪比测量等多种图像定量分析工具。缺陷位置直观可视，返修人员无需二次探伤即可精准定位，大幅压缩返工工时。多维度测量功能满足标准对图像质量的定量验证要求，评片过程更客观、更规范，为工艺判定提供量化依据。缺陷自动打标+距离角度双监测，返修定位精准高效
集成缺陷打标装置，依据智能识别结果在焊口侧自动标记缺陷位置；配备距离与角度实时监测反馈系统，定量监控直管输送距离及旋转角度。缺陷位置清晰可辨，返修无需重复探伤，效率显著提升。距离与角度的闭环监测确保多角度透照的重复性与一致性，为自动化检测提供稳定可靠的位置基准，保障批次间检测条件高度可控。智能评图ADR系统（选配）
可选配焊缝缺陷智能评定系统，内置多种适配不同工艺的模型算法，同步支持表面及内部缺陷识别，缺陷定性准确率高，危害缺陷漏检率为零。大幅缓解评片人员在大批量连续检测中的负担，危害缺陷漏检为工件服役安全提供最高等级保障。识别结果实时预警，并支持自动暂停由人工复核确认，构建“AI初筛+人机协同”的高效科学作业模式。检测功能展示
1#工作台单衍射±30°(±0.0083°) 2#工作台双衍射±15"(±0.0042°) 
双工作台分工
一机多能，同时满足端面/柱面需求，大幅提升检测效率
超高灵敏度探测器
计数率10^8/秒，无需反复调整，精准捕捉有效信号
模块化设计
可根据需求搭载不同类型样品台及拓展个性化测量功能
长效运行低维护
优化设计的X射线系统，低耗运行，保障设备长期稳定运行。
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参数项
参数详情
衍射方式 单衍射，双衍射（两种可选） 接收系统 闪烁探测器，计数率为108108/秒 X管电流强度 0-1.0mA 检测精度 单衍射：精度±±30秒（或±±0.0083度） 双衍射：精度±±15秒（或±±0.0042度） 显示系统 度分秒显示，手动设置标准角度，实时显示被测晶体与标准角度偏差角度 测定角度 测量角度范围：θθ: -5∼∼+50° 检测工件尺寸 2寸、4寸、6寸，长度≤≤200mm 供电 单相AC220V供电，额定电流0.9A，额定功率200W 主要检测范围 晶片检测：主要用于确认切割/抛光或对应工艺处理后的产品质量 晶棒检测：主要用于确认晶棒在辊圆/截断/开边或对应工艺处理后的产品质量 应用范围 用于半导体工艺质量管控环节，可对2/4/6寸规格晶棒、晶片进行多场景高精度晶向角度测量，确认加工质量、把控工艺稳定性。
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